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(1) 正向特性 
当V＞0，即处于正向特性区域。正向区又分为两段： 
当0＜V＜Vth时，正向电流为零，Vth称为死区电压或开启电压。 
当V＞Vth时，开始出现正向电流，并按指数规律增长。 
硅二极管的死区电压Vth=0.5 V左右， 
锗二极管的死区电压Vth=0.1 V左右。 
   (2) 反向特性  
当V＜0时，即处于反向特性区域。反向区也分两个区域： 
当VBR＜V＜0时，反向电流很小，且基本不随反向电压的变化而变化，此时的反向电流也称反向饱和电流IS。 
当V≥VBR时，反向电流急剧增加，VBR称为反向击穿电压。 
在反向区，硅二极管和锗二极管的特性有所不同。硅二极管的反向击穿特性比较硬、比较陡，反向饱和电流也很小；锗二极管的反向击穿特性比较软，过渡比较圆滑，反向饱和电流较大。从击穿的机理上看，硅二极管若|VBR|≥7 V时，主要是雪崩击穿；若VBR≤4 V则主要是齐纳击穿，当在4 V～7 V之间两种击穿都有，有可能获得零温度系数点。

图  伏安特性